Pure Storage ha lanzado una matriz de almacenamiento SAN insignia en su familia FlashArray de almacenamiento primario de alto rendimiento. La serie FlashArray // XL aumenta la capacidad máxima potencial hasta 5,5 PB, casi el doble de los modelos FlashArray existentes, y también proporciona un aumento de rendimiento de casi el doble.
La clave para el aumento del rendimiento es la adopción de unidades de procesamiento central (CPU) Intel Ice Lake y el uso de PCIe 4.0. Estos avances proporcionan velocidades de procesamiento muy mejoradas con más núcleos, además de más carriles PCIe utilizables. Esto equivale a un aumento de rendimiento de aproximadamente el doble de los productos FlashArray existentes.
El director de tecnología de Pure Storage, Alex McMullan, dijo: “Esta es nuestra oferta ‘platino’ de primer nivel, que ofrece almacenamiento para casos de uso de aplicación única, LUN único y de gama alta o aquellos que desean consolidar múltiples aplicaciones o ejecutar almacenamiento de datos”.
Las capacidades máximas serán de 3,53 PB para el // XL130 y de 5,5 PB para el // XL170. El más alto disponible con FlashArray // X90 es 3.3PB, pero la serie XL ofrece no mucho el doble de rendimiento, con hasta 36GBps (alrededor de 100TB por hora) en comparación con los 20GBps de la serie FlashArray // X. La latencia en FlashArray / X y // XL puede ser tan baja como 150μs.
Los casos de uso de destino son cargas de trabajo únicas de misión crítica muy exigentes, como SAP HANA, donde existe la necesidad de un acceso extremadamente rápido y de movimiento de datos entre el almacenamiento de backend y los niveles de alto rendimiento, así como múltiples cargas de trabajo de aplicaciones como máquinas virtuales o bases de datos en escenarios de almacenamiento de datos.
Otro avance es que los módulos DirectFlash patentados de Pure que vienen con la serie XL tendrán un flash distribuido más rápido integrado. Pure ha hecho esto al tener parte de la capacidad de las unidades configurada como flash SLC, lo que permite una capacidad flash distribuida de muy alto rendimiento. que se distribuya por todo el sistema. DirectMemory Cache, con Intel Optane, también es una opción.
La memoria flash NAND de celda de un solo nivel (SLC) fue la primera de las generaciones de flash de estado sólido. Permitió un interruptor de entrada / salida (E / S) por celda flash física, lo que proporciona el mayor rendimiento y durabilidad.
Las generaciones posteriores de flash se han movido a múltiples cargos, y por lo tanto E / S, por celda, lo que ha disminuido el rendimiento hasta cierto punto pero ha reducido el costo por GB. La capacidad a granel en FlashArray // XL se compone de matrices con capacidad de celda de nivel múltiple (MLC).
El hardware actualizado genera más calor que los modelos anteriores, por lo que el factor de forma ha cambiado de 3U a 5U.
FlashArray // XL funcionará con Pure Fusion, que es la capa de control residente en la nube de la empresa que administra el almacenamiento en ubicaciones en el sitio, en la nube y colo.
Los administradores de almacenamiento pueden gestionar Fusion a través de interfaces de programación de aplicaciones (API) para configurar la implementación, la ubicación de la carga de trabajo, la movilidad y el reequilibrio. Pure lo llama “almacenamiento como código” y afirma que puede ofrecer almacenamiento bajo demanda desde la capacidad donde sea que esté.
Los administradores pueden definir clases de almacenamiento y gestionar y migrar cargas de trabajo en el sitio y en la nube para satisfacer las necesidades de rendimiento.
FlashArray // XL también está disponible como parte de los modelos de compra Evergreen / Pure-as-a-service de Pure Storage. Los clientes pagan por lo que usan en términos de uso efectivo de la capacidad, no de almacenamiento provisto.
Pure también ha lanzado una nueva versión, 6.2, de su sistema operativo Purity. Aquí, una adición clave es que las instantáneas inmutables de SafeMode, que son una defensa clave contra el ransomware, están activadas de forma predeterminada, que es lo contrario de la configuración anterior.